SiC高溫氧化設(shè)備

所屬分類：

第三代半導體工藝設(shè)備

概要：

專用于硅-碳化合物(SiC）氧化處理，可實現(xiàn)SiC片高溫環(huán)境下完成高溫氧化工藝。氧化工藝使用O2,O2/H2，N2O，NO是最安全的毒性氣體氧化爐，設(shè)備適用于SiC基功率器件制造中的高溫氧化工藝環(huán)節(jié)，加熱腔與工藝腔獨立密閉設(shè)計，提供工藝腔的潔凈度。

關(guān)鍵詞：

MPCVD

SiC高溫氧化設(shè)備

產(chǎn)品概述/Product Introduction：

♦專用于硅-碳化合物(SiC）氧化處理，可實現(xiàn)SiC片高溫環(huán)境下完成高溫氧化工藝。氧化工藝使用O2,O2/H2，N2O，NO是最安全的毒性氣體氧化爐

Specially used for oxidation treatment of silicon-carbon compounds (SiC), which can realize the high-temperature oxidaton process of SiC sheets in high-temperature environment.The oxidation process uses O2, O2/H2, N2O, NO, which is thesafest oxidizing furnace for toxic gas.

♦設(shè)備適用于SiC基功率器件制造中的高溫氧化工藝環(huán)節(jié)

The equipment is suitable for the high temperature oxidation process in the manufacture of SiC-based power devices

♦加熱腔與工藝腔獨立密閉設(shè)計，提供工藝腔的潔凈度

The heating chamber and the process chamber are designed independently and sealed to provide the cleanliness of the process chamber

技術(shù)指標/Technical Indicators：

晶片尺寸：6/8英寸

Wafer size: 6/8 inches

制程溫度范圍: 800-2000 °C

Process temperature range: 800-2000°C

批次片數(shù): 50-100片

Batch capacity: 50-100 pcs

產(chǎn)品特點/ Product characteristics：