從8英寸PVT設備批量交付到12英寸電阻法長晶系統(tǒng)商業(yè)化落地——第三代半導體裝備國產(chǎn)化進程提速

2025-04-30

碳化硅（SiC）作為第三代半導體的核心材料，憑借其高耐壓、耐高溫、高熱導等特性，在新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通等領域展現(xiàn)出巨大的應用潛力。而碳化硅單晶襯底的制備，離不開核心裝備——物理氣相輸運（PVT）長晶爐的技術(shù)突破。近年來，國內(nèi)企業(yè)在碳化硅長晶設備領域持續(xù)發(fā)力，逐步打破國外壟斷，其中山東力冠微電子裝備有限公司憑借其領先的PVT技術(shù)實力和產(chǎn)業(yè)化布局，成為推動國產(chǎn)替代的中堅力量。

技術(shù)突破

8英寸PVT設備批量出貨，性能比肩國際水準

山東力冠微電子裝備有限公司自主研發(fā)的8英寸PVT碳化硅長晶爐已實現(xiàn)批量銷售，涵蓋感應加熱與電阻加熱兩種技術(shù)路線，可靈活適配導電型與半絕緣型碳化硅晶體的生長需求。該設備通過創(chuàng)新熱場設計，實現(xiàn)了徑向溫度均勻性與軸向溫度梯度的精準調(diào)控，熱場穩(wěn)定性較傳統(tǒng)方案提升30%以上，顯著提高了晶體的良率與一致性，達到國際主流水平。同時，設備搭載的自動化控制系統(tǒng)可實時監(jiān)測并優(yōu)化長晶參數(shù)，減少人工干預，降低生產(chǎn)成本，目前已成功導入國內(nèi)外頭部客戶產(chǎn)線。

邁向大尺寸

12英寸PVT電阻法長晶系統(tǒng)實現(xiàn)商業(yè)化突破

在8英寸技術(shù)成熟的基礎上，山東力冠微電子裝備有限公司進一步攻克了12英寸PVT電阻加熱長晶爐的研發(fā)難關(guān)，并于近期完成首批兩臺設備的交付。

該設備采用多區(qū)控溫技術(shù)，軸向溫度梯度調(diào)節(jié)范圍擴大至傳統(tǒng)設備的1.5倍，能夠有效抑制晶體缺陷，滿足大尺寸、高純度碳化硅單晶的生長需求。

隨著12英寸電阻法長晶系統(tǒng)商業(yè)化突破，公司計劃2025年實現(xiàn)12英寸設備批量供貨，助力國產(chǎn)碳化硅材料進入全球供應鏈第一梯隊。

行業(yè)展望

國產(chǎn)化浪潮下的增長機遇

隨著新能源汽車、光儲充一體化等下游需求爆發(fā)，全球碳化硅襯底市場持續(xù)擴大。根據(jù)國際知名機構(gòu)Yole的預測，預計到2027年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模為將增長至62.97億美元，年復合增長率（CAGR）達34%。

山東力冠微電子裝備有限公司憑借其技術(shù)積淀與快速響應能力，已與一批龍頭企業(yè)達成深度合作，并逐步開拓海外市場。

未來，山東力冠微電子裝備將以大尺寸、高性價比的設備為核心競爭力，持續(xù)以創(chuàng)新技術(shù)賦能碳化硅材料行業(yè)升級，通過技術(shù)突破提升產(chǎn)業(yè)效率、促進全球供應鏈多元化，為半導體材料領域的技術(shù)迭代與應用拓展貢獻中國智慧。

從8英寸批量交付到12英寸產(chǎn)業(yè)化突破，山東力冠微電子裝備有限公司的成長軌跡生動詮釋了中國第三代半導體裝備的崛起之路。在政策支持與市場需求的雙重驅(qū)動下，以山東力冠微電子裝備為代表的國產(chǎn)設備商正加速技術(shù)迭代，通過構(gòu)建自主可控技術(shù)體系，不僅重塑了全球碳化硅設備產(chǎn)業(yè)格局，更在高端半導體裝備領域標注出"中國智造"的新坐標。